MSP430F全系列Flash存儲器通用程序庫

ID:108615 · 發表于 2016-3-14 20:10

本程序是《MSP430系列單片機系統工程設計與實踐》書里面的源碼，（包含工程文件(例4.1.6)）完整例程下載：http://www.izizhuan.cn/bbs/dpj-46245-1.html

關于本程序的詳細解說大家可以點擊上圖下載電子書
這個Flash存儲器庫文件的調用方法可先下載完整代碼然后找到(例4.1.6)這一節，里面有調用方法
Flash.c文件：

/*
MSP430F全系列Flash存儲器通用程序庫
說明：該程序庫包含了內部Flash存儲器常用的讀寫功能,還包含了常用數據
格式變量的保存、讀取函數。除了字節讀寫之外，還可以很方便的向
FlashROM里寫入和讀出整型、浮點數、長整型格式的數據。
由于Flash存儲器不能單字節擦除或改寫，因此寫入任何字節都需
要先備份整個數據區再整塊擦除，之后恢復其他未改變數據。本程序利
用兩個Flash存儲區(InfoA和InfoB)互相備份信息，優點是備份過程不
占用RAM，能在RAM小于256字節的單片機上運行;缺點是速度慢，且浪費
了1/2的存儲容量。適合小批量數據且不關心寫入速度的場合，如菜單
保存設置參數等。另外注意Flash壽命只有10萬次左右，不要頻繁調用
寫函數。寫Flash時，電源電壓必須高于2.7V。
本程序庫中所有的讀寫函數對外已經屏蔽了Flash特征，存儲地址
空間從0開始到127。如果實際用到的數據量很少，可修改MAXNUM定義，
以節省執行時間。如果需要保存的數據量大于128，可修改存儲區首地址
和備份區首地址的定義，指向程序Flash區中程序代碼和中斷向量表未
占用的空白區塊，能獲得512字節的存儲容量。
要使用該庫函數，需要將本文件(Flash.c)添加進工程，并在需要
調用函數的文件開頭處包含"Flash.h"。
(C)西安電子科技大學測控技術與儀器教研中心編寫：謝楷 2008/02/04
*/
//
//
// MSP430F4XX
// +---------------+
// | |
// | XOUT|-----
// | | 32.768KHz Watch Crystal
// | XIN|-----
// | |
// +---------------+
#include "MSP430x42x.h"
#define MAXNUM 32 /*存儲的總數據量(字節),最大128*/
/*由于每個數據都需要備份，總數據量越小速度越快，不要留太多余量*/
/*后面存儲、讀取函數可用的存儲地址空間為0~(MAXNUM-1)*/
#define FLASH_SAVEADDR (0x1080) /*Flash數據存儲區首地址(InfoB)*/
#define FLASH_COPYADDR (0x1000) /*Flash備份存儲區首地址(InfoA)*/
union LongChar //長整字節復合結構
{ unsigned long int Long;
struct ByteL4
{ unsigned char BHH;
unsigned char BHL;
unsigned char BLH;
unsigned char BLL;
}Bytes;
};
union FloatChar //浮點字節復合結構
{ float Float;
struct ByteF4
{ unsigned char BHH;
unsigned char BHL;
unsigned char BLH;
unsigned char BLL;
}Bytes;
};
unsigned char FLASH_PSR;
#define DISABLE_INT; FLASH_PSR=__get_SR_register();_DINT();
#define RESTORE_INT; if(FLASH_PSR & GIE) _EINT();
/****************************************************************************
* 名稱：Flash_Init()
* 功能：對Flash時鐘進行初始化設置
* 入口參數：無
* 出口參數：無
* 說明: 如需使用后面的讀寫函數，在程序開始必須先調用該初始化函數
配置Flash時鐘必須在257~476KHz之間!!
****************************************************************************/
void Flash_Init(void)
{
FCTL2 = FWKEY + FSSEL_2 + FN1; // 默認 SMCLK/3 =349KHz
}
/* Flash時鐘必須在257~476KHz之間, */
/* 分頻系數= 32*FN5 + 16*FN4 + 8*FN3 + 4*FN2 + 2*FN1 + FN0 + 1 */
// Flash時鐘選擇:
/* FSSEL_0 Flash clock select: 0 - ACLK */
/* FSSEL_1 Flash clock select: 1 - MCLK */
/* FSSEL_2 Flash clock select: 2 - SMCLK */
/****************************************************************************
* 名稱：Flash_Busy()
* 功能：Flash忙等待
* 入口參數：無
* 出口參數：無
* 說明: 若Flash忙則等待，直到Flash操作完成(空閑)才返回。
****************************************************************************/
void Flash_Busy()
{
while((FCTL3 & BUSY) == BUSY){_NOP();} //Busy
}
/****************************************************************************
* 名稱：Flash_Erase()
* 功能：擦除Flash的一個數據塊
* 入口參數：Addr:被擦除數據塊的首地址
* 出口參數：無
****************************************************************************/
void Flash_Erase(unsigned int Addr)
{ unsigned char *Flash_ptr;
Flash_ptr=(unsigned char *)Addr;
FCTL1 = FWKEY + ERASE; // Set Erase bit
FCTL3 = FWKEY; // Clear Lock bit
DISABLE_INT;
*Flash_ptr = 0; // Dummy write to erase Flash segment B
Flash_Busy(); //Busy
RESTORE_INT;
FCTL1 = FWKEY; // Lock
FCTL3 = FWKEY+LOCK; // Set Lock bit
}
/****************************************************************************
* 名稱：Flash_CopyA2B()
* 功能：將數據區的內容拷貝到備份區
* 入口參數：無
* 出口參數：無
****************************************************************************/
void Flash_CopyA2B()
{
unsigned char *Flash_ptrA; // Segment A pointer
unsigned char *Flash_ptrB; // Segment B pointer
unsigned int i;
Flash_ptrA = (unsigned char *) FLASH_SAVEADDR; // Initialize Flash segment A pointer
Flash_ptrB = (unsigned char *) FLASH_COPYADDR; // Initialize Flash segment B pointer
Flash_Erase(FLASH_COPYADDR);
FCTL1 = FWKEY + WRT; // Set WRT bit for write operation
FCTL3 = FWKEY; // Clear Lock bit
for (i=0; i<MAXNUM; i++)
{
DISABLE_INT;
*Flash_ptrB++ = *Flash_ptrA++; // copy value segment A to segment B
Flash_Busy(); //Busy
RESTORE_INT;
}
FCTL1 = FWKEY; // Clear WRT bit
FCTL3 = FWKEY + LOCK; // Set LOCK bit
}
/****************************************************************************
* 名稱：Flash_WriteChar()
* 功能：向Flash中寫入一個字節(Char型變量)
* 入口參數：Addr:存放數據的地址
Data:待寫入的數據
* 出口參數：無
* 范例：Flash_WriteChar(0,123);將常數123寫入0單元
Flash_WriteChar(1,a);將整型變量a寫入1單元
****************************************************************************/
void Flash_WriteChar (unsigned int Addr,unsigned char Data)
{
unsigned char *Flash_ptrA; // Segment A pointer
unsigned char *Flash_ptrB; // Segment B pointer
unsigned int i;
Flash_CopyA2B(); //Flash內的數據先保存起來
Flash_ptrA = (unsigned char *) FLASH_SAVEADDR;// Initialize Flash segment A pointer
Flash_ptrB = (unsigned char *) FLASH_COPYADDR;// Initialize Flash segment B pointer
Flash_Erase(FLASH_SAVEADDR);
FCTL1 = FWKEY + WRT; // Set WRT bit for write operation
FCTL3 = FWKEY; // Clear Lock bit
for (i=0; i<MAXNUM; i++)
{
DISABLE_INT;
if(i==Addr)
{
*Flash_ptrA++ =Data; // Save Data
Flash_Busy(); //Busy
Flash_ptrB++;
}
else
{
*Flash_ptrA++ = *Flash_ptrB++; // 恢復Flash內的其他數據
Flash_Busy(); //Busy
}
RESTORE_INT;
}
FCTL1 = FWKEY; // Clear WRT bit
FCTL3 = FWKEY + LOCK; // Set LOCK bit
}
/****************************************************************************
* 名稱：Flash_ReadChar()
* 功能：從Flash中讀取一個字節
* 入口參數：Addr:存放數據的地址
* 出口參數：讀回的數據
****************************************************************************/
unsigned char Flash_ReadChar (unsigned int Addr)
{ unsigned char Data;
unsigned char *Flash_ptrA; // Segment A pointer
Flash_ptrA = (unsigned char *) FLASH_SAVEADDR; // Initialize Flash segment A pointer
Data=*(Flash_ptrA+Addr);
return(Data);
}
/****************************************************************************
* 名稱：Flash_WriteWord()
* 功能：向Flash寫入一個整型變量
* 入口參數：Addr:被寫入FlashROM單元的地址
Data:待寫入的整型變量(2字節數據)
* 出口參數：無
* 說明: 該函數保存數據將占用Addr和Addr+1兩個存儲單元
* 范例：Flash_WriteWord(2,1234);將常數1233寫入2~3單元
Flash_WriteWord(4,a);將整型變量a寫入4~5單元
****************************************************************************/
void Flash_WriteWord (unsigned int Addr,unsigned int Data)
{
unsigned char *Flash_ptrA; // Segment A pointer
unsigned char *Flash_ptrB; // Segment B pointer
unsigned int i;
Flash_CopyA2B(); //Flash內的數據先保存起來
Flash_ptrA = (unsigned char *) FLASH_SAVEADDR;// Initialize Flash segment A pointer
Flash_ptrB = (unsigned char *) FLASH_COPYADDR;// Initialize Flash segment B pointer
Flash_Erase(FLASH_SAVEADDR);
FCTL1 = FWKEY + WRT; // Set WRT bit for write operation
FCTL3 = FWKEY; // Clear Lock bit
for (i=0; i<MAXNUM; i++)
{
DISABLE_INT;
if(i==Addr)
{
*Flash_ptrA++ =Data/256; // Save Data
Flash_Busy(); //Busy
*Flash_ptrA++ =Data%256; // Save Data
Flash_Busy(); //Busy
Flash_ptrB+=2;
}
else
{
*Flash_ptrA++ = *Flash_ptrB++; // 恢復Flash內的其他數據
Flash_Busy(); //Busy
}
RESTORE_INT;
}
FCTL1 = FWKEY; // Clear WRT bit
FCTL3 = FWKEY + LOCK; // Set LOCK bit
}
/****************************************************************************
* 名稱：Flash_ReadWord()
* 功能：從FlashROM讀回一個整型變量
* 入口參數：Addr:待讀出變量FlashROM單元的起始地址(存入的地址)
* 出口參數：讀回的整型變量值
****************************************************************************/
unsigned int Flash_ReadWord (unsigned int Addr)
{ unsigned int Data;
unsigned char *Flash_ptrA; // Segment A pointer
Flash_ptrA = (unsigned char *) FLASH_SAVEADDR;// Initialize Flash segment A pointer
Data=*(Flash_ptrA+Addr)*256+*(Flash_ptrA+Addr+1);
return(Data);
}
/****************************************************************************
* 名稱：Flash_WriteLong()
* 功能：向FlashROM寫入一個長整型變量
* 入口參數：Addr:被寫入FlashROM單元的地址
Data:待寫入的長整型變量(4字節數據)
* 出口參數：無
* 說明: 該函數保存數據將占用Addr到Addr+3 共4個存儲單元
* 范例：Flash_WriteLong(7,123456);將長整型數123456寫入7~10單元
Flash_WriteLong(11,a);將長整型變量a寫入11~14單元
****************************************************************************/
void Flash_WriteLong (unsigned int Addr,unsigned long int Data)
{
union LongChar LData;
unsigned char *Flash_ptrA; // Segment A pointer
unsigned char *Flash_ptrB; // Segment B pointer
unsigned int i;
LData.Long=Data;
Flash_CopyA2B(); //Flash內的數據先保存起來
Flash_ptrA = (unsigned char *) FLASH_SAVEADDR;// Initialize Flash segment A pointer
Flash_ptrB = (unsigned char *) FLASH_COPYADDR;// Initialize Flash segment B pointer
Flash_Erase(FLASH_SAVEADDR);
FCTL1 = FWKEY + WRT; // Set WRT bit for write operation
FCTL3 = FWKEY; // Clear Lock bit
for (i=0; i<MAXNUM; i++)
{
DISABLE_INT;
if(i==Addr)
{
*Flash_ptrA++ =LData.Bytes.BHH; // Save Data
Flash_Busy(); //Busy
*Flash_ptrA++ =LData.Bytes.BHL; // Save Data
Flash_Busy(); //Busy
*Flash_ptrA++ =LData.Bytes.BLH; // Save Data
Flash_Busy(); //Busy
*Flash_ptrA++ =LData.Bytes.BLL; // Save Data
Flash_Busy(); //Busy
Flash_ptrB+=4;
}
else
{
*Flash_ptrA++ = *Flash_ptrB++; // 恢復Flash內的其他數據
Flash_Busy(); //Busy
}
RESTORE_INT;
}
FCTL1 = FWKEY; // Clear WRT bit
FCTL3 = FWKEY + LOCK; // Set LOCK bit
}
/****************************************************************************
* 名稱：Flash_ReadLong()
* 功能：從FlashROM讀回一個長整型變量
* 入口參數：Addr:待讀出變量所在FlashROM單元的起始地址(存入的地址)
* 出口參數：讀回的長整型變量值
****************************************************************************/
unsigned long int Flash_ReadLong (unsigned int Addr)
{
unsigned char *Flash_ptrA; // Segment A pointer
union LongChar Data;
Flash_ptrA = (unsigned char *) FLASH_SAVEADDR;// Initialize Flash segment A pointer
Flash_ptrA+=Addr;
Data.Bytes.BHH=*Flash_ptrA++;
Data.Bytes.BHL=*Flash_ptrA++;
Data.Bytes.BLH=*Flash_ptrA++;
Data.Bytes.BLL=*Flash_ptrA++;
return(Data.Long);
}
/****************************************************************************
* 名稱：Flash_WriteFloat()
* 功能：向FlashROM寫入一個浮點型變量
* 入口參數：Addr:被寫入FlashROM單元的地址
Data:待寫入的浮點型變量(4字節數據)
* 出口參數：無
* 說明: 該函數保存數據將占用Addr到Addr+3 共4個存儲單元
* 范例：Flash_WriteFloat(15,3.14159);將浮點數3.14159寫入15~18單元
Flash_WriteFloat(19,a);將浮點變量a寫入19~22單元
****************************************************************************/
void Flash_WriteFloat (unsigned int Addr,float Data)
{
union FloatChar FData;
unsigned char *Flash_ptrA; // Segment A pointer
unsigned char *Flash_ptrB; // Segment B pointer
unsigned int i;
FData.Float=Data;
Flash_CopyA2B(); //Flash內的數據先保存起來
Flash_ptrA = (unsigned char *) FLASH_SAVEADDR;// Initialize Flash segment A pointer
Flash_ptrB = (unsigned char *) FLASH_COPYADDR;// Initialize Flash segment B pointer
Flash_Erase(FLASH_SAVEADDR);
FCTL1 = FWKEY + WRT; // Set WRT bit for write operation
FCTL3 = FWKEY; // Clear Lock bit
for (i=0; i<MAXNUM; i++)
{
DISABLE_INT;
if(i==Addr)
{
*Flash_ptrA++ =FData.Bytes.BHH; // Save Data
Flash_Busy(); //Busy
*Flash_ptrA++ =FData.Bytes.BHL; // Save Data
Flash_Busy(); //Busy
*Flash_ptrA++ =FData.Bytes.BLH; // Save Data
Flash_Busy(); //Busy
*Flash_ptrA++ =FData.Bytes.BLL; // Save Data
Flash_Busy(); //Busy
Flash_ptrB+=4;
}
else
{
*Flash_ptrA++ = *Flash_ptrB++; // 恢復Flash內的其他數據
Flash_Busy(); //Busy
}
RESTORE_INT;
}
FCTL1 = FWKEY; // Clear WRT bit
FCTL3 = FWKEY + LOCK; // Set LOCK bit
}
/****************************************************************************
* 名稱：Flash_ReadFloat()
* 功能：從FlashROM讀回一個浮點型變量
* 入口參數：Addr:待讀出變量所在FlashROM單元的起始地址(存入的地址)
* 出口參數：讀回的浮點型變量值
****************************************************************************/
float Flash_ReadFloat (unsigned int Addr)
{
unsigned char *Flash_ptrA; // Segment A pointer
union FloatChar Data;
Flash_ptrA = (unsigned char *) FLASH_SAVEADDR;// Initialize Flash segment A pointer
Flash_ptrA+=Addr;
Data.Bytes.BHH=*Flash_ptrA++;
Data.Bytes.BHL=*Flash_ptrA++;
Data.Bytes.BLH=*Flash_ptrA++;
Data.Bytes.BLL=*Flash_ptrA++;
return(Data.Float);
}
//==============================================================================================

復制代碼

Flash.h文件：

extern void Flash_Init (void);
extern void Flash_WriteChar (unsigned int Addr,unsigned char Data);
extern unsigned char Flash_ReadChar (unsigned int Addr);
extern void Flash_WriteWord (unsigned int Addr,unsigned int Data);
extern unsigned int Flash_ReadWord (unsigned int Addr);
extern void Flash_WriteLong (unsigned int Addr,unsigned long Data);
extern unsigned long Flash_ReadLong (unsigned int Addr);
extern void Flash_WriteFloat (unsigned int Addr,float Data);
extern float Flash_ReadFloat (unsigned int Addr);

復制代碼

ID:570616 · 發表于 2019-6-24 18:14

求大神指點一下，我往信息存儲器中寫數據可以按我設定的地址中寫，但是我往主存儲器中寫數據時，我設置的起始地址時bank3的首地址038000H，為啥調試的時候顯示的寫在了08000H為首地址的Bank0區中呢？

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密碼			立即注冊

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MSP430F全系列Flash存儲器通用程序庫

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