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小家電電源芯片方案AP8022實(shí)例方案圖，電路設(shè)計(jì)方案原理圖文檔
AP8022 采用先進(jìn)的高低壓兼容工藝，將 PWM控制電路和耐壓高達(dá) 700V 以上的MOSFET完美的集成在同一顆芯片上。
主要特征：
‹ 電流控制模式；
‹ 內(nèi)置高壓 MOSFET（>700v）；
‹ VDD輸入范圍為 9～38v；
‹ 內(nèi)置頻率為 62KHz 振蕩器
‹ 集成了過(guò)壓、欠壓、過(guò)流、短路、過(guò)溫等完整的保護(hù)方案；
‹ 空載時(shí)芯片靜態(tài)功耗小于 100mW；
‹ 自動(dòng)重啟動(dòng)；
比較優(yōu)勢(shì)：
‹ 內(nèi)置高壓 MOSFET 能有效的節(jié)約購(gòu)買分離器件的成本，同時(shí) PCB 版圖的面積也將縮小。由于 PWM 控制電路和功率管在同一個(gè)芯片上，開(kāi)關(guān)回路的面積能最大程度的減小，相對(duì)采用 PWM 控制芯片和功率管分離的方案來(lái)說(shuō)，EMC性能會(huì)有很大的優(yōu)勢(shì)；
‹ 無(wú)需采用高壓?jiǎn)?dòng)電阻，可以有效的降低待機(jī)功耗，同時(shí)還可節(jié)省外圍元件（高壓電阻），提高了安全性能（高壓電阻的短路或不符合規(guī)范將可能燒壞控制芯片）
‹ 內(nèi)置振蕩器減少了外圍器件(調(diào)節(jié)振蕩器頻率所用的電容或電阻)的數(shù)量和 PCB 版圖的面積；
‹ VDD 輸入范圍達(dá)到 30v，在輔助線圈輸出變化很大時(shí)，仍能保證電路正常工組，無(wú)需使用特殊的鉗位措施來(lái)限定 VDD的變化。
AP8022 DEMO系統(tǒng)為反激式開(kāi)關(guān)電源，單路輸出額定電壓為 12V，最大允許輸出電流 1.5A。
電路原理圖如下：
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AP8022資料.pdf
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2018-4-26 18:28 上傳
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驅(qū)動(dòng)電源芯片
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