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發布時間: 2025-11-11 23:16
正文摘要:UC3843做反激電源驅動MOS，在很低功率下也發熱高達100℃，這是為什么？我把相關資料放在討論欄，請各位指導下思路 原理圖如下 采用UC3843做驅動，已更換了4款mos管，發現都有溫度過高的情況。變壓器參數下文會給 ... |
發表于 2025-11-22 11:59 你好，開頭第一張圖就是。設計參數基本沒變，把R18改成100R。調試過了，可以直接用，如果有需要可以討論。 |
| 通過加大柵極電阻，減緩充電的時間。把米勒平臺的振鈴調成水平就能解決發熱問題。 |
發表于 2025-11-23 10:22 已經解決了，謝謝各位大佬的指導。今天做個更新 |
| 樓主的實驗怎么樣了啊？分享一下吧？ |
| 把你的這個電源原理圖發過來共享一下行不行 |
本帖最后由 白水大蝦2016 于 2025-11-13 11:01 編輯 小魚的發放 發表于 2025-11-12 12:44 從原理圖看主繞組跟副繞組是同相的，反激電源的主繞組跟副繞組應該反相。另外變壓器主繞組30匝我感覺太少了（半導體材料用氮化鎵除外），對200W以下的反激電源來說初級匝數應在50匝以上（經驗）。 |
1109 發表于 2025-11-12 13:31 是的。我也注意到這個問題。二次近乎關斷再導通，這個環節開關損耗是非常大的。下午我加大柵極電阻，把米勒效應跟寄生電感造成振蕩做了優化，盡量平緩。好像溫度是有降下來了。具體我明天得詳細測試，才能給出肯定答復。 |
發表于 2025-11-12 13:40 謝謝。意見都很有用 |
白水大蝦2016 發表于 2025-11-12 15:33 噢，原來是這樣。學到了。我是按照網上給出的一些思路來計算的。Ae法或AP法選磁芯，原邊匝數一般在30-50匝，電感在300-800uH.其實我也沒完全搞懂比較適合的在那個區間。 |
老愚童63 發表于 2025-11-12 12:14 謝謝指導。改了，改到10Ω的時候，開關速度加快一半。VGS米勒振蕩更大了，發熱跟原來差不多。 |
| 先把散熱加大再說，什么東西也不能在極限值附件工作。另外好像有寄生振蕩！需要解決。加上負極性加速三極管，你的管子在米勒效應下管不住了。 |
本帖最后由 白水大蝦2016 于 2025-11-13 11:02 編輯 1109 發表于 2025-11-12 13:31 從原理圖看主繞組跟副繞組是同相的，反激電源的主繞組跟副繞組應該反相。另外變壓器主繞組30匝我感覺太少了（半導體材料用氮化鎵除外），對200W以下的反激電源來說初級匝數應在50匝以上（經驗）。 |
| 有經驗的前輩們幫忙看看 |
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1、把變壓器匝比改到10試試。 2、你的MOS管在導通時，有二次導通現象，先解決這個問題。然后想辦法優化電源效率，把效率做到85%以上，溫升即可降下來。 |
發表于 2025-11-12 10:16 好的，下午將D3更換為fr107.誤差放大器試過將電阻增大放大10倍，輸出不穩。下午降頻試試。變壓器引腳這里是什么問題？如果更換就與原邊繞組同步了，現在輔助繞組的接法的是與副邊一樣的接法，mos導通的時候原邊充能，關斷的時候放給副邊和輔助繞組。 |
| 把R18改成10-22Ω看看。有可能是MOS管驅動電流不足導致MOS管進入飽和狀態的時間延長而有相當一部分時間處于放大狀態 |
| 看錯了R5,R6 |
| 追加一條：將變壓器4、5腳調換試試。 |
| 63KHZ的頻率，D3用1N4007這樣的低頻管不合適；將C10換成203降低頻率試試；變壓器高頻導磁率太低換一個淺灰色變壓器芯試試？變壓器耦合縫隙太小造成臨界磁飽和。試后反饋一下咱們共同學習一下？ |
| 散熱器面積太小。 |
| 若電路是正常的，MOS管加大面積散熱片與風扇 |
組圖打開中，請稍候......
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